| 发明名称 | 静电放电保护器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种静电放电(ESD)保护器件，该器件具有增强的对ESD产生的电流的进行放电的能力以及减小的器件面积。ESD保护器件包括栅极接地的MOS晶体管(1)，该晶体管具有被第二半导体类型的第一阱区域(7)插入的第一半导体类型的源极区域(3)和漏极区域(4)。在源极区域(3)和漏极区域(4)下面提供了被第一阱区域(7)插入的第一半导体类型的第二阱区域(6)。在阱区域(6，7)下面分别提供了与阱区域(6，7)毗邻的同一半导体类型的重掺杂掩埋区域(8，9)。 | ||
| 申请公布号 | CN101283452A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200680037030.3 | 申请日期 | 2006.10.05 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 法布里斯·勃朗;弗雷德里克·F·巴尔比耶 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种静电放电保护器件，其被布置在第二半导体类型的半导体衬底(2)中，所述静电放电保护器件包括：第一半导体类型的源极区域(3)和漏极区域(4)；栅极区域(5)，其在第二半导体类型的第一阱区域(7)上延伸，所述第一阱区域(7)被布置在所述源极区域(3)和所述漏极区域(4)之间；第一半导体类型的第二阱区域(6)，其在所述源极区域(3)下面和所述漏极区域(4)下面，所述第一阱区域(7)被布置在所述源极区域(3)下面的所述第二阱区域(6)和所述漏极区域(4)下面的所述第二阱区域(6)之间；第二半导体类型的第一掩埋区域(9)，其在所述第一阱区域(7)下面；第一半导体类型的第二掩埋区域(8)，其在所述第二阱区域(6)下面；其中，所述第一掩埋区域(9)和所述第二掩埋区域(8)具有比所述第一阱区域(7)和所述第二阱区域(6)更高的掺杂水平。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||