| 发明名称 | 外延薄膜形成的方法与装置 | ||
| 摘要 | 在第一态样中，本发明提供第一系统以用于半导体组件制造。此第一系统包含：(1)一外延腔室，其适用以在一基材的表面上形成一材料层次；以及(2)一等离子产生器，其耦接于该外延腔室，且适用以导引等离子至该外延腔室。本发明提供许多其它态样。 | ||
| 申请公布号 | CN101283121A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200680037091.X | 申请日期 | 2006.10.03 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | S·莫法特;J·圣地亚哥 |
| 分类号 | C30B15/14(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | C30B15/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种半导体组件制造系统，其至少包含：外延腔室，其适用以在基材的表面上形成材料层次；以及等离子产生器，其耦接于该外延腔室，且适用以导引等离子至该外延腔室。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||