| 发明名称 |
Procédé pour fabriquer un dispositif à semi-conducteurs comportant au moins trois zones de types de conductivité alternés |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR91650(E) |
申请公布日期 |
1968.07.19 |
| 申请号 |
FR19670091042 |
申请日期 |
1967.01.13 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L29/00;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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