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Es wird ein Halbleiterbauelement vorgeschlagen, das einen Halbleiterkörper mit einem ersten Halbleitergebiet (11) vom ersten Leitungstyp, mindestens einen ersten gleichrichtenden Übergang (1) zum ersten Halbleitergebiet (11), mindestens einen zweiten gleichrichtenden Übergang (2) zum ersten Halbleitergebiet (11) und mindestens einen dritten gleichrichtenden Übergang (3) zum ersten Halbleitergebiet (11) aufweist, wobei die drei gleichrichtenden Übergänge (1, 2, 3) jeweils eine unterschiedlich hohe Barrierenhöhe aufweisen.
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