Verfahren zum Herstellen einer asymmetrischen nichtflüchtigen Speicherzelle, deren Floating-Gate mit einer scharfen Kante durch kleine, in-situ dotierte Polysilizium-Spacer versehen ist,申请号DE20036016641T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Herstellen einer asymmetrischen nichtflüchtigen Speicherzelle, deren Floating-Gate mit einer scharfen Kante durch kleine, in-situ dotierte Polysilizium-Spacer versehen ist
摘要
申请公布号	DE60316641(T2)	申请公布日期	2008.08.28
申请号	DE20036016641T	申请日期	2003.08.20
申请人	CHARTERED SEMICONDUCTOR MFG. PTE. LTD.	发明人	CHEW, HOE ANG;ENG, HUA LIM;CHER LIANG CHA, RANDALL;ZHENG, JIA ZHEN;QUEK, ELGIN;ZHOU, MEI SHENG;YEN, DANIEL
分类号	H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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