Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE

摘要

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden ein oder mehrerer insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren in einer Prozesskammer (2) eines Reaktors (1) auf einem Suszeptor (3) angeordneten, insbesondere kristallinen Substraten (6), wobei dem aktiv beheizbaren Suszeptor (3) eine aktiv beheizbare Prozesskammerwand (4) gegenüberliegt und ein Gaseinlassorgan (7) vorgesehen ist zum Einleiten von Prozessgasen in die Prozesskammer (2). Zur Verwendung der Vorrichtung auch in der Hydridtechnologie wird vorgeschlagen, dass die Prozesskammerwand (4) wahlweise sowohl aktiv beheizbar als auch aktiv kühlbar ist.