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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird
摘要
申请公布号 DE102006030264(B4) 申请公布日期 2008.08.28
申请号 DE200610030264 申请日期 2006.06.30
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 GEHRING, ANDREAS;BENTUM, RALF VAN;LENSKI, MARKUS
分类号 H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78 主分类号 H01L21/8234
代理机构 代理人
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