| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt eine Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben, wobei die HaIbleiteranordnung mit einer auf einem Substrat (1) angeordneten integrierten Schaltung (2) versehen ist, wobei die integrierte Schaltung (2) auf der Vorderseite des Substrats strukturiert ist und mindestens ein Kondensator (20) mit der integrierten Schaltung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kondensator auf der Rückseite des Substrats (1) als monolithische Tiefenstruktur in Gräben (3) ausgebildet ist. Die Gräben sind in mindestens einer ersten Gruppe und in mindestens einer zweiten Gruppe angeordnet, wobei die Gräben je einer Gruppe im Wesentlichen zueinander parallel laufen und die erste und zweite Gruppe zueinander quer, im Wesentlichen senkrecht stehen.</p> |
