发明名称 |
Vorrichtung und Speichervorrichtung, Verfahren zur Herstellung von Strukturen in einem Werkstück und Verfahren zur Herstellung einer Speichervorrichtung |
摘要 |
<p>Ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen in einem Werkstück umfasst das Bereitstellen eines Bereiches einer Deckschicht auf einen vorbestimmten Bereich des Werkstücks, das Bereitstellen einer Resistschicht über dem Werkstück und der Deckschicht und das Erzeugen von Resiststrukturen in der Resistschicht. Das Werkstück wird strukturiert, wobei die strukturierte Resistschicht und die Deckschicht als Ätzmaske verwendet werden. Ein anderes Verfahren zur Herstellung von Strukturen in einem Werkstück umfasst das Bereitstellen einer Resistschicht über dem Werkstück und das Erzeugen von Resiststrukturen in der Resistschicht. Das Werkstück wird strukturiert, wobei die strukturierte Resistschicht als Ätzmaske verwendet wird und Werkstückstrukturen erhalten werden. Die Werkstückstrukturen werden von einem vorbestimmten Bereich des Werkstücks entfernt. Danach wird ein Pitch-Fragmentation-Prozess ausgeführt.</p> |
申请公布号 |
DE102007008934(A1) |
申请公布日期 |
2008.08.28 |
申请号 |
DE20071008934 |
申请日期 |
2007.02.23 |
申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
KNOEFLER, ROMAN;LUDWIG, CHRISTOPH |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/8229;H01L23/52;H01L27/10 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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