| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体存储器件及其制造方法。本发明的课题是，抑制SRAM单元的形成面积的增大并谋求工作的稳定。在SRAM单元的存取MOS晶体管Q5的栅电极(33)上，形成与字线连接的接触(45)。接触(45)穿通元件隔离绝缘膜(14)，抵达SOI层(13)。驱动MOS晶体管Q1的体区与第1存取MOS晶体管Q5的体区经元件隔离绝缘膜(14)下方的SOI层(13)相互电连接。因而，存取MOS晶体管Q5在其栅电极与体区之间形成用接触(45)连接的DTMOS结构，接触(45)还与第1驱动晶体管Q1的体区电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101202292A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200810002247.1 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 平野有一;一法师隆志;前川繁登;新居浩二 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L27/11(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，其特征在于：具备SRAM单元，其中具有：存取MOS晶体管；驱动MOS晶体管；以及连接接地布线与上述驱动MOS晶体管的源区的第1接触，上述第1接触与上述存取MOS晶体管和上述驱动MOS晶体管双方的体区连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||