| 发明名称 | 双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法，其步骤依次包括：有机防反射层刻蚀、氧化膜刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，所述的主刻蚀步骤分两步实施，主刻蚀步骤A调整单线和密线的差异性，同时定义出斜侧壁角度，刻蚀过程中采用的反应气体包括氮气。本发明使单线和密线的刻蚀速率更加接近，消除底部缩口，使单线和密线的侧壁保持一定的倾斜度。 | ||
| 申请公布号 | CN101202223A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610119564.2 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘鹏;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8222(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法，步骤依次如下：有机防反射层刻蚀、氧化膜刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，其特征在于：所述的主刻蚀步骤分两步实施，主刻蚀步骤A调整单线和密线的差异性，同时定义出斜侧壁角度，刻蚀过程中采用的反应气体包括氮气；主刻蚀B刻蚀剩余多晶硅。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||