发明名称 | 对半导体物理版图进行填充的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种对半导体物理版图进行填充的方法,采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图,通过划分单元区域进行几何形状分析,计算出最少个数的AREF填充阵列后,以追加写入二进制数据的方式,将计算得出的AREF阵列写入到GDSII数据中,实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充。 | ||
申请公布号 | CN101201849A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
申请号 | CN200610119389.7 | 申请日期 | 2006.12.11 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张兴洲 |
分类号 | G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | G06F17/50(2006.01) |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
主权项 | 1.一种对半导体物理版图进行填充的方法,其特征是,包括以下步骤:读取数据的步骤,以二进制的方式读入GDSII数据,通过对GDSII二进制数据流的查找,寻找到待填充版图中的每一个结构;划分待填充版图的步骤,将待填充版图划分成一个由多个正方形单元区域组成的矩形阵列,单元区域的大小由版图设计规则决定,单元区域的边长等于填充物的尺寸加上填充物的间距;计算AREF阵列的步骤,采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图,通过划分单元区域进行几何形状分析,并计算出最少个数的AREF填充阵列;填充的步骤,以追加写入二进制数据的方式,把上面得出的AREF阵列写入到GDSII数据中,这样就实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充。 | ||
地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 |