发明名称 生成器件测试图形的方法
摘要 本发明公开了一种生成器件测试图形的方法,先绘制一个作为模版的测试图形,然后获取待形成的测试图形中几何图形与模板测试图形中相应几何图形顶点坐标之间的偏置值,得到偏置值后,待形成的测试图形中各几何图形顶点的坐标就等于模板测试图形中相应几何图形顶点坐标加上相应的偏置值,得到待形成的测试图形中各几何图形顶点的坐标后,即完成待形成的测试图形。本发明直接利用现有测试图形进行几何坐标变换,可以在极短的时间内生成大量测试图形。
申请公布号 CN101201382A 申请公布日期 2008.06.18
申请号 CN200610119396.7 申请日期 2006.12.11
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 张兴洲
分类号 G01R31/26(2006.01);G01R31/265(2006.01);G01R31/00(2006.01);H01L21/66(2006.01);G01B21/04(2006.01) 主分类号 G01R31/26(2006.01)
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 顾继光
主权项 1.一种生成器件测试图形的方法,其特征是,包括以下步骤:首先绘制一个作为模版测试图形,其余同类测试图形将以此为基础生成;设定一平面坐标系并获取模板测试图形中各几何图形顶点的坐标,将几何坐标平面分别在x轴方向按需要变化的各个器件参数进行分段,在y轴方向按需要变化的各个器件参数进行分段;然后获取待形成的测试图形中几何图形与模板测试图形中相应几何图形顶点坐标之间的偏置值,偏置值等于相应坐标轴在相应坐标区段内的各个器件参数变化所带来的几何坐标值的变化之和;再获取待形成的测试图形中各几何图形顶点的坐标,得到偏置值后,待形成的测试图形中各几何图形顶点的坐标就等于模板测试图形中相应几何图形顶点坐标加上相应的偏置值,得到待形成的测试图形中各几何图形顶点的坐标后,即完成待形成的测试图形。
地址 201206上海市浦东新区川桥路1188号
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