高速低功耗电流灵敏放大器

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种针对嵌入式静态随机存储器(EmbeddedSRAM)的电流灵敏放大器(Current-mode Sense Amplifier)。主要由位线箝位电路、一对交叉耦合CMOS反相器、均衡电路以及输入输出缓冲器构成。该灵敏放大器既可以实现对SRAM单元的读操作，也可以实现写操作，且在读写过程中均利用差分电流信号，而非传统的差分电压信号，因此在工作过程中位线的电压摆幅很小，有效地降低了存储器的读出、写入功耗。仿真结果表明，灵敏放大器的延时对位线电容变化不敏感。

主权项

1.一种完全采用差分电流信号对嵌入式静态存储器进行读写操作的电流灵敏放大器，其特征在于由位线箝位电路、一对交叉耦合CMOS反相器、均衡电路以及输入输出缓冲器依次连接组成；其中，位线箝位电路由连接在位线上的两个常导通的NMOS晶体管组成；一对交叉耦合CMOS反相器构成整个灵敏放大器的核心，进行读操作时将位线上的差分电流信号转换为电压信号输出，进行写操作时将输入的差分电压信号转变为位线上的差分电流信号并写入SRAM单元；通过两个受控的NMOS晶体管分别实现均衡位线电压和灵敏放大器输出端电压；在交叉耦合反相器的两个输出端各连接一个输出缓冲器和输入缓冲器，用来驱动输出端负载，隔离输入输出信号，提高灵敏放大器的工作速度；利用两个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管分别在读出和写入时改变电路的工作模式。