基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管及其制备方法

摘要

基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管，在衬底材料上分别设有氮化物半导体缓冲层、氮化物半导体有源层、氮化物半导体接触层，两连线电极被制备在氮化物半导体有源层同一侧的接触层上；该缓冲层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.01－100μm之间；可以在生长中采取非有意掺杂、N型掺杂、或P型掺杂；所述有源发光层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001－10μm之间；所述接触层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001－10μm之间；所述电极是肖特基接触或者欧姆接触电极。

主权项

1.基于平面结构的III族氮化物半导体发光二极管，其特征是在衬底材料上分别设有氮化物半导体缓冲层、氮化物半导体有源层、氮化物半导体接触层，两连线电极被制备在氮化物半导体有源层同一侧的接触层上；该缓冲层的材质是氮化铝镓铟Al1-x-yGaxInyN，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.01-100μm之间；可以在生长中采取非有意掺杂、N型掺杂、或P型掺杂；所述有源发光层的材质是氮化铝镓铟，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，；单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001-10μm之间；可以在生长中采取非有意掺杂、N型掺杂、或P型掺杂；所述接触层的材质是氮化铝镓铟，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，；单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001-10μm之间；可以在生长中采取非有意掺杂、N型掺杂、或P型掺杂；在氮化物半导体接触层；所述电极是肖特基接触或者欧姆接触电极。