| 发明名称 | 一种标准硅片制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种标准硅片制作方法。现有的用以校验膜厚测试机台的标准硅片因校验层直接暴露在空气中易被污染致使其无法准确校验测试机台。本发明的标准硅片制作方法，首先在硅片基层上生成一校验层，接着在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的保护层。采用本发明的标准硅片制作方法制作的标准硅片稳定性大大提高，故可长期使用，避免了需经常更换标准硅片所造成的成本浪费，同时也提高了膜厚测试机台的可控性。 | ||
| 申请公布号 | CN101202203A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610119550.0 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 严博;方明海;陈淑美;吕秋玲 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种标准硅片制作方法，其先在硅片基层上生成一校验层，其特征在于，所述方法还在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的的保护层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||