| 发明名称 | ZnO二极管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种ZnO型二极管及其形成方法。该ZnO型二极管可包括彼此分开的第一电极和第二电极、以及位于该第一电极和第二电极之间的由M<SUB>X</SUB>In<SUB>1－X</SUB>ZnO(所述M为第Ⅲ族金属)形成的有源层。该第一电极的功函数可低于该有源层的功函数。该第二电极的功函数可高于该有源层的功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN101202314A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200710307771.5 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜东勋;宋利宪;金昌桢;朴永洙 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01);H01L29/872(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L21/329(2006.01) | 主分类号 | H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 1.一种ZnO型二极管，包括：彼此分开的第一电极和第二电极；和位于第一电极和第二电极之间的有源层，所述有源层由MXIn1-XZnO形成，其中，M为第III族金属，其中，该第一电极的功函数低于该有源层的功函数，且该第二电极的功函数高于该有源层的功函数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||