| 发明名称 | 形成半导体器件的金属前介电质层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及使用化学机械抛光(CMP)工艺形成半导体器件的金属前介电质(PMD)层的方法，其适用于容易地识别对准标记。这种方法通过在半导体划线通道的有源区中预先形成多晶硅对准标记图案，能够减小或消除由于CMP导致的对准标记的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101202214A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200710198516.1 | 申请日期 | 2007.12.11 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 文相台 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/544(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种方法，包含：提供具有半导体器件的半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成蚀刻停止层；在所述半导体衬底划线通道的有源区中，在所述蚀刻停止层上方形成由多晶硅构成的多个对准标记图案；在包括所述蚀刻停止层和所述对准标记图案的所述半导体衬底上方形成第一PMD层；在包括所述第一PMD层的所述半导体衬底上方形成第二PMD层；然后靠着所述多个对准标记图案的侧壁形成多个接触。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||