发明名称 |
介电材料的气相处理 |
摘要 |
本发明涉及施加用于有机硅酸盐玻璃介电薄膜的表面改性剂组合物的方法。更特别地,本发明涉及处理衬底上硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的方法,该薄膜或者包含硅烷醇部分,或者已使至少部分先前存在的含碳部分被除去。该处理增加了薄膜的含碳部分和/或当薄膜多孔时,密封了薄膜的表面孔。 |
申请公布号 |
CN101203944A |
申请公布日期 |
2008.06.18 |
申请号 |
CN200680017835.1 |
申请日期 |
2006.01.17 |
申请人 |
霍尼韦尔国际公司 |
发明人 |
A·S·巴纳普;I·戈尔斯克;D·H·恩迪施;B·J·丹尼尔斯;K·S·伯恩哈姆;R·R·罗思 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01);H01L21/3105(2006.01);C23C16/56(2006.01);C23C16/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吕彩霞;邹雪梅 |
主权项 |
1.一种处理衬底上硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的方法,该硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜或者包含硅烷醇部分,或者该硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜已使至少部分先前存在的含碳部分从中除去,该方法包括:(a)任选地对衬底上的至少一部分硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜进行脱水;然后(b)任选地施加表面改性剂组合物用活化剂到硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜上;然后(c)使硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜接触蒸汽或气体状态的表面改性剂组合物,其中表面改性剂组合物包含能通过甲硅烷基化而烷基化或芳基化硅烷醇部分或键的组分,该硅烷醇部分或键从硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜除去含碳部分形成;所述接触在足以实现(i)或(ii)或(iii)的条件下进行:(i)增加含碳部分到硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜,或(ii)当薄膜多孔时,密封硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的表面孔;或(iii)先增加含碳部分到硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜,然后当薄膜多孔时,密封硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的表面孔。 |
地址 |
美国新泽西州 |