| 发明名称 | 形成高介电常数薄膜的方法以及形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种使用含金属化合物的气体和由下面通式(I)表示的含硅化合物的气体通过原子层沉积在基材上形成高介电常数薄膜金属硅酸盐的方法，其中在前述通式中的R<SUP>1</SUP>、R<SUP>2</SUP>和R<SUP>3</SUP>各自独立地选自氢原子、C<SUB>1－3</SUB>烷基和N(R<SUP>6</SUP>)<SUB>2</SUB>(其中多个R<SUP>6</SUP>基团中的每一个独立选自氢原子、C<SUB>1－3</SUB>烷基和Si(R<SUP>7</SUP>)<SUB>3</SUB>(其中多个R<SUP>7</SUP>基团中的每一个独立选自氢原子和C<SUB>1－3</SUB>烷基))；R<SUP>4</SUP>和R<SUP>5</SUP>各自独立地选自氢原子、C<SUB>1－3</SUB>烷基和Si(R<SUP>8</SUP>)<SUB>3</SUB>(其中多个R<SUP>8</SUP>基团中的每一个独立选自氢原子、C<SUB>1－3</SUB>烷基和NHSi(R<SUP>9</SUP>)<SUB>3</SUB>(其中多个R<SUP>9</SUP>基团中的每一个独立选自氢原子和C<SUB>1－3</SUB>烷基))；和(前述通式中的碳原子数)/(前述通式中的硅原子数)的值不大于7。 | ||
| 申请公布号 | CN101203945A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200680022580.8 | 申请日期 | 2006.06.21 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;NEC电子公司 | 发明人 | C·迪萨拉;柳田和孝;上山哲 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/314(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/455(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.一种形成高介电常数薄膜的方法，其中包含金属硅酸盐的高介电常数薄膜使用含金属化合物的气体和由下面通式表示的含硅化合物的气体通过原子层沉积在基质上形成：<img file="S2006800225808C00011.GIF" wi="345" he="303" />其中在前述通式中的R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自独立地选自氢原子、C<sub>1-3</sub>烷基和N(R<sup>6</sup>)<sub>2</sub>(其中多个R<sup>6</sup>基团中的每一个独立选自氢原子、C<sub>1-3</sub>烷基和Si(R<sup>7</sup>)<sub>3</sub>(其中多个R<sup>7</sup>基团中的每一个独立选自氢原子和C<sub>1-3</sub>烷基))；R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自独立地选自氢原子、C<sub>1-3</sub>烷基和Si(R<sup>8</sup>)<sub>3</sub>(其中多个R<sup>8</sup>基团中的每一个独立选自氢原子、C<sub>1-3</sub>烷基和NHSi(R<sup>9</sup>)<sub>3</sub>(其中多个R<sup>9</sup>基团中的每一个独立选自氢原子和C<sub>1-3</sub>烷基))；和(前述通式中的碳原子数)/(前述通式中的硅原子数)的值不大于7。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||