用于蚀刻的系统和方法

摘要

一种用于蚀刻的系统和方法。根据一实施例，本发明提供一种用于制造集成电路器件的方法。所述方法包括提供具有接触区的衬底的步骤，接触区设置在第一字线和第二字线之间。接触区以上具有一种塞结构，塞结构设置在一定厚度的第一电介质层内。第一电介质层包括塞结构以上的部分。第一电介质层具有平坦化的表面区。所述方法还包括形成第一线和第二线以及设置在第一字线和第二字线之间的间隔的步骤。间隔设置在塞结构以上的区域内。

主权项

1.一种用于制造集成电路器件的方法，所述方法包括：提供具有接触区的衬底，所述接触区设置在第一字线和第二字线之间，所述接触区以上具有一种塞结构，所述塞结构设置在一定厚度的第一电介质层内，所述第一电介质层包括所述塞结构以上的一部分，所述第一电介质层具有平坦化的表面区；形成第一线和第二线以及设置在所述第一字线和所述第二字线之间的间隔，所述间隔设置在所述塞结构以上的区域内；形成多个间隔物，所述多个间隔物包括所述第一线上的第一间隔物和所述第二线上的第二间隔物，所述第一间隔物的特征在于宽度和高度；形成所述多个间隔物上的第二电介质层；平坦化所述第二电介质层；形成硬掩膜；图案化所述硬掩膜以形成第一暴露区；形成一定厚度的间隔物材料；对所述一定厚度的间隔物材料进行各向异性蚀刻以形成所述第一暴露区内的第二暴露区，所述第二暴露区通过所述第一暴露区的第一边上的第一侧壁间隔物和所述第一暴露区的第二边上的第二侧壁间隔物而限定；在所述第二暴露区内执行蚀刻工艺至一深度以形成开口；在所述开口内形成接触。