| 发明名称 | 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底 | ||
| 摘要 | 一种在硅衬底的表面上制造碳化硅层的方法，包括以下步骤：用烃基气体和电子束辐照在高真空中在范围为500℃至1050℃的温度下加热的所述硅衬底的表面，以在所述硅衬底表面上形成立方碳化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN101203940A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200680021424.X | 申请日期 | 2006.05.23 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种在硅衬底的表面上制造碳化硅层的方法，包括以下步骤：用烃基气体和电子束辐照在高真空中在范围为500℃至1050℃的温度下加热的所述硅衬底的表面，以在所述硅衬底表面上形成立方碳化硅层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||