发明名称 | 发光装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种发光装置和制造所述发光装置的方法。根据本发明,所述发光装置包括:衬底;形成于所述衬底上的N型半导体层;以及形成于所述N型半导体层上的P型半导体层,其中包含所述N型或P型半导体层的侧面具有与水平面成20°到80°的斜率。此外,本发明提供一种发光装置,其包括:形成有多个发光单元的衬底,每一发光单元包含N型半导体层和形成于所述N型半导体层上的P型半导体层;以及底板衬底,其倒装芯片结合到所述衬底上,其中一个发光单元的所述N型半导体层与另一相邻发光单元的所述P型半导体层彼此连接,且至少包含所述发光单元的所述P型半导体层的侧面具有与水平面成20°到80°的斜率。此外,本发明提供一种制造发光装置的方法。因此,存在的优点在于发光装置的例如发光效率、外部量子效率和提取效率的特性增强,且保证了可靠性,使得可发射具有高发光强度和亮度的光。 | ||
申请公布号 | CN101203966A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
申请号 | CN200680022583.1 | 申请日期 | 2006.06.22 |
申请人 | 首尔OPTO仪器股份有限公司 | 发明人 | 李钟览;李在皓;尹余镇;黄义镇;金大原 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁 |
主权项 | 1.一种发光装置,其特征在于其包括:多个发光单元,每一发光单元包含在衬底上的N型半导体层和形成于所述N型半导体层的一部分上的P型半导体层,其中一个发光单元的所述N型半导体层与另一相邻发光单元的所述P型半导体层彼此连接,且包含所述发光单元的所述N型半导体层或所述P型半导体层的侧面具有与水平面成20°到80°的斜率。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |