发明名称 |
纳米孔、磁记录介质及它们的制造以及磁记录装置及方法 |
摘要 |
一种纳米孔结构,包括:金属矩阵;以及纳米孔,规则排列在该金属矩阵中,其中,所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔,以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质,包括:衬底;以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔,每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸,其中包含至少一种磁性材料,并且该多孔层为上述纳米孔结构。 |
申请公布号 |
CN100395821C |
申请公布日期 |
2008.06.18 |
申请号 |
CN200510059481.4 |
申请日期 |
2005.03.25 |
申请人 |
富士通株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院 |
发明人 |
伊藤健一;中尾宏;菊地英幸;守部峰生;益田秀树 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01);G11B5/667(2006.01);G11B5/84(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张龙哺;郑特强 |
主权项 |
1.一种纳米孔结构,包括:金属矩阵;以及纳米孔,规则排列在该金属矩阵中,其中,所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔,以构成纳米孔行,所述纳米孔行的排列方式为以下四种方式的至少其中之一,即同心、螺旋、径向、和相邻纳米孔行之间的间隔与纳米孔行的宽度之比为从1.1到1.9;其中,所述金属矩阵上形成有用于形成纳米孔行的凹入部分行,且所述纳米孔行通过阳极氧化所述金属矩阵形成在所述凹入部分行上。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |