| 发明名称 | 浮栅闪存器件结构及其浮栅的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅的上缘为两端向上突起的弧形，所述控制栅的下缘为中间向上突起的弧形，所述控制栅完全罩住所述浮栅，所述浮栅与所述控制栅之间隔有二氧化硅。本发明还公开了一种通过刻蚀和硅热氧化制作上述浮栅闪存器件结构中浮栅的方法。本发明制作浮栅闪存器件结构中浮栅的方法，其步骤简单，易于实现，制作出的浮栅闪存器件能大幅度提高闪存器件“写”与“擦”的工作效率，从而提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101202311A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610119406.7 | 申请日期 | 2006.12.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;曹亚民 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述浮栅的上缘为两端向上突起的弧形，所述控制栅完全罩住所述浮栅，所述浮栅与所述控制栅之间隔有二氧化硅。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||