| 发明名称 | 一种调节氢气露点还原氧化钼的方法 | ||
| 摘要 | 一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，涉及一种利用氢气还原氧化钼的生产钼粉方法。其特征在于在氧化钼－钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为0～+20℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为－30～－60℃的干氢。本发明的一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，第一段还原要求露点为0～+20℃的湿氢，使反应速率及放热过程可控，形成产物形貌对最终产品起重要作用；第二段还原则为了使反应加快及还原完全，则需要露点为－30～－60℃的干氢。通过提供不同露点的氢气用于氧化钼还原，得到的钼粉粒度均匀、形貌规则质量高。 | ||
| 申请公布号 | CN101200000A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200710179662.X | 申请日期 | 2007.12.17 |
| 申请人 | 金堆城钼业股份有限公司 | 发明人 | 刘俊怀;王仙琴 |
| 分类号 | B22F9/22(2006.01) | 主分类号 | B22F9/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人 | 李迎春 |
| 主权项 | 1.一种调节氢气露点还原氧化钼的方法，其特征在于在氧化钼-钼粉的还原工艺过程中，第一段还原的氢气露点为0～+20℃的湿氢；第二段还原的氢气的露点为-30～-60℃的干氢。 | ||
| 地址 | 714102陕西省华县金堆镇 | ||