| 发明名称 | 采用OCD量测芯片台阶高度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种采用OCD(光学特征尺寸测量)量测芯片台阶高度的方法，该方法包括如下步骤：a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。与现有技术相比，本发明中采用OCD更为有效并且节约开支地测试台阶。在同一时间测量两个不同介质，并输出高度的差值，而且不会对芯片表面造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101202236A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610147395.3 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杜珊珊;黄怡;张海洋;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种采用OCD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||