发明名称 |
静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法。第一ESD有机TFT、第二ESD有机TFT、第三ESD有机TFT分别具有栅极、源极和漏极,其中第一和第二ESD有机TFT的源极和漏极以及第三ESD有机TFT的栅极电连接。第一ESD有机TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,第二ESD有机TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线。第三ESD有机TFT的源极电连接到数据线或选通线,并且第三ESD有机TFT的漏极电连接到公共电压线。 |
申请公布号 |
CN101201514A |
申请公布日期 |
2008.06.18 |
申请号 |
CN200710126906.8 |
申请日期 |
2007.06.29 |
申请人 |
LG.菲利浦LCD株式会社 |
发明人 |
金珉朱;姜镐哲;秋教燮 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01);G03F7/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李辉;吕俊刚 |
主权项 |
1.一种静电放电保护元件,该静电放电保护元件包括:第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第三TFT,每一个薄膜晶体管都具有栅极、源极和漏极;其中第一TFT的漏极和第三TFT的栅极电连接,并且第二TFT的源极和第三TFT的栅极电连接;其中第一TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,并且第二TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线;其中第三TFT的源极电连接到所述第一阵列线,并且第三TFT的漏极电连接到所述第二阵列线;并且其中每一个TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导体层。 |
地址 |
韩国首尔 |