| 发明名称 | 发光元件、发光器件和电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明的一个方面是一种发光元件，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10<SUP>－6</SUP>cm<SUP>2</SUP>/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2－叔丁基－9，10－双(2－萘基)蒽、蒽、9，10－二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11－四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。 | ||
| 申请公布号 | CN101203968A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200680022551.1 | 申请日期 | 2006.04.17 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01) | 主分类号 | H01L51/50(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种发光器件，包括：第一电极；第二电极；以及形成在第一电极和第二电极之间的发光层和混合层，其中该混合层包括芳族烃和金属氧化物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||