| 发明名称 | 半导体装置和光检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其包括设置在半导体区域内且在绝缘层上的光波导、以及设置在该光波导处的多个光检测器。所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管。所述多个光检测器以不同时序捕获数据。 | ||
| 申请公布号 | CN101201434A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200710306895.1 | 申请日期 | 2007.10.08 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 木岛公一朗 |
| 分类号 | G02B6/10(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | G02B6/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：光波导，设置在半导体区域内且在绝缘层之上；以及多个光检测器，设置于该光波导处，其中所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管，且其中所述多个光检测器以不同时序捕获数据。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||