一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法

摘要

一种制造具有表面等离子调制效应的垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源的方法，是在普通垂直腔面发射激光器的基础上制备得到的。具体工艺包括在普通垂直腔面发射激光器出光腔面上生长一层增透膜，用聚焦离子束刻蚀的方法在出光孔范围内腔面的增透膜上制备亚波长周期性结构；去掉P面电极上的绝缘层后镀一层金属膜，然后用聚焦离子束刻蚀的方法在出光腔面的金属膜上制备亚波长尺寸的孔及亚波长周期性结构，将光限制在低损失微小谐振腔中，使光通过微小开口出射，生成高效率高方向性的近场光。

主权项

1.一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源，其结构为：半导体垂直腔面发射激光器出光腔面上有一增透膜，增透膜的上表面具有等周期性结构；一金属膜复盖在增透膜上；出光腔面的出光孔上有一亚波长尺寸的小孔，小孔周围的金属膜上具有等周期性结构的光栅。