| 发明名称 | 多晶硅刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅刻蚀的方法，用于在多晶硅片上刻蚀线条，多晶硅片包括自然氧化层、多晶硅层、SiO<SUB>2</SUB>绝缘膜，多晶硅刻蚀的方法包括自然氧化层开启步骤、多晶硅层主刻步骤、多晶硅层过刻步骤，其中通过调整自然氧化层开启步骤中的下射频源的功率或其它工艺参数来控制刻蚀线条的宽度尺寸。既能有效的控制刻蚀线条的宽度尺寸，又不影响工艺气体对多晶硅层与SiO<SUB>2</SUB>绝缘膜的选择比，主要适用于对多晶硅片进行刻蚀，也适用于对其它类似的硅片进行刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101202224A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610165226.2 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 霍秀敏 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅刻蚀的方法，用于在多晶硅片上刻蚀线条，所述多晶硅片包括自然氧化层、多晶硅层、SiO2绝缘膜，所述多晶硅刻蚀的方法包括自然氧化层开启步骤、多晶硅层主刻步骤、多晶硅层过刻步骤，其特征在于，通过调整自然氧化层开启步骤中的刻蚀工艺参数来控制刻蚀线条的宽度尺寸。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||