具有非晶硅MONOS存储单元结构的半导体器件及其制造方法

摘要

一种具有非晶硅(a－Si)金属－氧化物－氮化物－氧化物半导体(MONOS)存储单元结构的半导体器件。该器件包括：基片；覆盖基片的电介质层；以及嵌入电介质层中的一个或多个源区或漏区，其中n型a－Si和电介质层有共面表面。另外，该器件包括p－i－na－Si二极管结。该器件还包括覆盖a－Sip－i－n二极管结的氧化物－氮化物－氧化物(ONO)电荷捕获层和覆盖ONO层的金属控制柵。提供了一种制造a－SiMONOS存储单元结构的方法并且可以重复该方法以便三维地扩展所述结构。

主权项

1.一种制造非晶硅(a-Si)金属-氧化物-氮化物-氧化物半导体(MONOS)存储单元结构的方法，该方法包括：提供基片；在所述基片上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成一个或多个源区或漏区，所述一个或多个源区或漏区的每一个与第一表面相关并且包括n型a-Si层、势垒层和传导层，所述n型a-Si层在所述势垒层上，所述势垒层覆盖所述传导层，所述第一表面由n型a-Si组成；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层与第二表面相关，所述第二表面基本上与所述第一表面共面；形成覆盖所述第一表面和所述第二表面的i型a-Si层；形成覆盖所述i型a-Si层的p型a-Si层；形成覆盖所述p型a-Si层的ONO(氧化物-氮化物-氧化物)层；形成覆盖所述ONO层的金属层；以及通过图案化所述金属层来形成至少一个控制栅。