N-POLAR ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE ENHANCEMENT-MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号EP20060851277-传众专利搜索

发明名称	N-POLAR ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE ENHANCEMENT-MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	EP1932181(A2)	申请公布日期	2008.06.18
申请号	EP20060851277	申请日期	2006.09.18
申请人	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA	发明人	RAJAN, SIDDHARTH;SUH, CHANG, SOO;SPECK, JAMES, S.;MISHRA, UMESH, K.
分类号	H01L29/66;H01L29/04;H01L29/20;H01L29/43	主分类号	H01L29/66
代理机构		代理人
主权项
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