| 发明名称 | 形成介电薄膜的方法和用于实施所述方法的新的前体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有低介电常数的介电层，所述层尤其在集成电路板的制造过程中(在电路的BEOL部分)用于分隔金属互连。根据本发明，该介电层包含SiC和/或SiOC，并且由至少一种含有至少一种－Si－C<SUB>n</SUB>－Si－链的前体获得，其中n≥1。 | ||
| 申请公布号 | CN101203626A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200680022582.7 | 申请日期 | 2006.06.21 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | C·迪萨拉 |
| 分类号 | C23C16/32(2006.01);C23C16/40(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | C23C16/32(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.一种低k介电层，其可用于特别在集成电路的制造过程中隔离金属互连，其特征在于所述层包括SiC和/或SiOC，并且由至少一种含有至少一种-Si-Cn-Si-链的前体获得，其中n≥1。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||