| 发明名称 | 半导体装置及其制法、集成电路、电光学装置、电子仪器 | ||
| 摘要 | 在薄膜晶体管等半导体装置中，提供一种能避免在半导体膜边缘部分中电场集中，并提高可靠性的技术。本发明半导体装置的制造方法，包括：第一工序，在绝缘基板(10，11)上形成岛状半导体膜(12)；第二工序，将包括半导体膜(12)边缘部分在内的半导体膜(12)，用第1绝缘膜(13)覆盖；第三工序：将半导体膜(12)上部的第1绝缘膜(13)避开该半导体膜的边缘部形成开口；第四工序，至少在绝缘膜(13)开口部的半导体膜(12)上形成比第1绝缘膜(13)厚度相对薄的第2绝缘膜(14)；和第五工序，在第2绝缘膜(14)上形成电极配线膜(18)。 | ||
| 申请公布号 | CN100395870C | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200510073784.1 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 安部大介 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：包含：岛状的半导体膜；栅电极；位于所述半导体膜与所述栅电极之间的第1绝缘膜；以及，位于所述半导体膜与所述栅电极之间的第2绝缘膜，与所述半导体膜的所述栅电极重叠的区域作为通道区域发挥作用，所述通道区域的与所述第1绝缘膜重叠的区域，包围所述通道区域的与所述第2绝缘膜重叠的区域，所述第1绝缘膜的膜厚，比所述第2绝缘膜的膜厚更大。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||