半导体非均质构造

摘要

本发明系有关于一种半导体非均质构造,其包含有具有一第一平面内晶格参数的一支持底材,形成于支持底材上,且其上以释松状态具有一第二平面内晶格参数的一缓冲构造,与形成于缓冲构造上之无梯度层的一多层堆叠。本发明之目的系在于提供具上述形态,表面粗度较低的一种半导体非均质构造。此目的系由前述形态的一非均质构造所解决,其中该些无梯度层系为应力层,其中该些应力层包含有一半导体材质之至少一应力平滑层,其在一释松状态并具有一第三平面内晶格参数,其系在第一及第二晶格参数之间。