| 摘要 |
一种非挥发性半导体记忆装置,包括具有主表面的半导体基板(SB)、复数记忆电晶体(MT)以及复数选择电晶体(ST)。复数记忆电晶体(MT)分别具有在主表面上互相积层形成的浮闸(FG)以及控制闸(CG)。复数选择电晶体(ST)分别具有在主表面上互相积层形成的下侧闸极层(G2)以及上侧闸极层(G1),且与复数记忆电晶体(MT)之一共同包含在记忆单元(MC)内。下侧闸极层(G2)被复数选择电晶体(ST)各个分离。上侧闸极层(G1)由复数选择电晶体(ST)共有,且电气连接至复数选择电晶体(ST)的各下侧闸极层(G2)。因此,可以防止选择电晶体ST与记忆电晶体MT之间的短路。 |
