形成用于快闪装置之均匀穿隧氧化层之方法与所得结构

摘要

薄氧化物膜系生长于矽上,该矽系先经气态或液态氯离子源处理。所得氧化物之厚度具有比在未经处理之矽上所得者更均匀,因此,相较于之前未经该处理之结构所需者,其可使所给予之电荷储存于一浮置闸极上较长的时间,该浮置闸极系形成于该氧化物上。