记忆元件及半导体装置

摘要

本发明的目的在于减少每个记忆元件中的程式化工作的不均匀性。本发明的目的还在于提供安装有所述记忆元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的记忆元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、及第二导电层,其中,金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持,金属氧化物层设置成与第一导电层接触;及半导体层设置成与金属氧化物层接触。藉由采用这种结构,减少了每个记忆元件中的写入动作的不均匀性。