| 摘要 |
本发明揭示一种一次场可程式化(OTP)记忆体单元及相关的制造与程式化技术。依据一具体实施例之一OTP记忆体单元包括与一引导元件串联之至少一电阻改变元件。使用一反向偏压操作将该记忆体单元场程式化,该反向偏压操作可以减小经由该阵列之泄漏电流以及减小驱动器电路在程式操作中一般必须产生之电压位准。可以藉由在制程期间将该等记忆体单元从其初始原始状态切换为一第二电阻状态来制造一记忆体单元阵列。在一具体实施例中,该工厂切换操作可以包括跳脱每一记忆体单元之一反熔丝以将其设定成该第二电阻状态。将处于该第二电阻状态之记忆体单元阵列提供给一终端使用者。控制电路还具有可以将选定单元的电阻向其初始电阻状态往回切换以依据从一使用者或主机装置接收的资料将该阵列程式化之记忆体阵列。 |
