唯读记忆体及其制造方法

摘要

本发明提供一种唯读记忆体。该唯读记忆体包括一半导体层、一电极及一设置于该电极及该半导体层间之隔离层,该隔离层包括于该半导体层表面依次设置之一第一绝缘层、一载流子存储层及一第二绝缘层,且该载流子存储层包括复数具有界面陷阱之薄膜层。该唯读记忆体有效增加电荷陷阱,提高记忆窗値。本发明同时提供了一种该唯读记忆体之制造方法。