包含氮化之高介电常数膜的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置,其包含一基板以及位于该基板上之一氮化高介电常数膜;并且提供一种形成该氮化高介电常数膜的方法。该氮化高介电常数膜包含一含氧膜与一含氮膜,该含氮膜至少一部份的厚度被氧化。该含氮膜与该含氧膜包含一个以上从周期表之硷土元素、稀土元素、以及IVB族元素所选择的相同金属元素。该氮化高介电常数膜可选择地更包含铝、矽、或铝与矽。藉由a)沉积一含氮膜以及b)沉积一含氧膜,而在该基板上形成该氮化高介电常数膜,其中以任何次序、任何次数执行步骤a)与b),俾能氧化该含氮膜至少一部份的厚度。依照一实施例,该方法包含形成一氮化铪基高介电常数膜。