发明名称 钻石底半导体装置及其相关方法
摘要 本发明提供一种钻石底半导体层装置以及制造这种装置的方法,这样的一种方法可包括将一半导体层沉积于一半导体基材上、将一无力性钻石层沉积于该半导体层异于该半导体基材的一侧,以及将一支撑基材结合至该无力性钻石层异于该半导体层的一侧,以支撑该无力性钻石层。
申请公布号 TW200826162 申请公布日期 2008.06.16
申请号 TW096139133 申请日期 2007.10.19
申请人 宋健民 发明人 宋健民
分类号 H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);H03H9/64(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 台北县淡水镇中正路32巷4号