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经营范围
发明名称
钻石底半导体装置及其相关方法
摘要
本发明提供一种钻石底半导体层装置以及制造这种装置的方法,这样的一种方法可包括将一半导体层沉积于一半导体基材上、将一无力性钻石层沉积于该半导体层异于该半导体基材的一侧,以及将一支撑基材结合至该无力性钻石层异于该半导体层的一侧,以支撑该无力性钻石层。
申请公布号
TW200826162
申请公布日期
2008.06.16
申请号
TW096139133
申请日期
2007.10.19
申请人
宋健民
发明人
宋健民
分类号
H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);H03H9/64(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
台北县淡水镇中正路32巷4号
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