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经营范围
发明名称
聚焦离子束设备及试料剖面形成及薄片试料制备方法
摘要
所侦测者为当实施蚀刻试料剖面时,藉由照射聚焦离子束,及环绕通过地扫瞄照射此聚焦离子束所产生之二次电子。自侦测出的二次电子讯号之变化量中,端点侦测机构侦测出端点,藉此终止蚀刻,使得即使FIB设备不具有SEM观察功能,仍可有效地侦测出缺陷或接触孔的中心部分。
申请公布号
TW200826144
申请公布日期
2008.06.16
申请号
TW096129716
申请日期
2007.08.10
申请人
精工电子纳米科技有限公司
发明人
田代纯一;一宫丰;藤井利昭
分类号
H01J37/32(2006.01);H01J37/317(2006.01);H01J37/305(2006.01);G01N1/28(2006.01)
主分类号
H01J37/32(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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