发明名称 利用三五族半导体材料作为闸极电极的方法
摘要 本案系为一种利用三五族半导体材料作为闸极电极的方法,其步骤包含提供一基板;于该基板上形成一闸极介电层;以及于该闸极介电层上形成一三五族半导体材料。
申请公布号 TW200826203 申请公布日期 2008.06.16
申请号 TW095146950 申请日期 2006.12.14
申请人 国立台湾大学 发明人 曾志宏;吴贤达;彭成毅;刘致为
分类号 H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 台北市大安区罗斯福路4段1号