氧化物图案之形成方法及半导体装置之图案化方法

摘要

氧化物图案之形成方法包括:在一半导体基板上形成一氧化层;在一既定区域中,将不低于1.0x10^16atoms/cm^2的硼离子布植于氧化层;以及对位于无布植该硼离子之剩余区域的该氧化层进行湿式蚀刻。