| 发明名称 | CVD成膜方法及CVD成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明,系将晶圆W配置于室21内之承受器22上,由气体供给装置50之金属化合物气体供给部51将金属化合物气体、由还原性有机化合物气体供给部52将还原性有机化合物气体连续地供给至室121内,藉此于晶圆W表面形成金属膜。 | ||
| 申请公布号 | TW200826217 | 申请公布日期 | 2008.06.16 |
| 申请号 | TW096127775 | 申请日期 | 2007.07.30 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 三好秀典 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01);H01L21/28(2006.01);C23C16/06(2006.01) | 主分类号 | H01L21/67(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||