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发明名称
垂直导通式发光二极体及其制造方法
摘要
本发明主要是一种垂直导通式发光二极体,包含一块作为电极的板状基材、一块接合在基材上并可以光电效应产生光的量子单元,及一片与量子单元相殴姆接触且可与基板共同对量子单元提供电能使其发光的电极,特别的是,量子单元的n型披覆层包括一层由深蚀刻形成而具有多数根高度介于次微米尺度之光修正柱的柱丛部,藉由柱丛部的多数根光修正柱与周遭介质的折射系数差,可以使量子单元产生的光在行进间发生散射的机率增加,进而提升元件的发光亮度。此外,本发明还揭示此种垂直导通式发光二极体的制造方法。
申请公布号
TW200826314
申请公布日期
2008.06.16
申请号
TW095145960
申请日期
2006.12.08
申请人
新世纪光电股份有限公司
发明人
徐海文;徐智魁;锺宽仁
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
台南县善化镇台南科学工业园区大利三路5号
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