记忆体单元结构及其制造方法、及磁阻性随机存取记忆体结构

摘要

一种记忆体单元结构,包括:一记忆体叠层,具有一下电极及一上电极;一导体延伸层,电性连接下电极,且具有一延伸部,其自记忆体叠层横向延伸,该记忆体叠层形成于导体延伸层之主要部分上;一资料控制线,用以控制该记忆体叠层的记忆状态,其直接形成于记忆体叠层和导体延伸层之主要部分下;一下金属层,形成于延伸部之下,且电性耦接于一开关装置,以读取记忆体叠层的记忆状态;以及一介层插塞结构,直接连接延伸部至下金属层,且直接横向相邻于资料控制线。